典型的OBC包括AC-DC整流、PFC和DC-DC转换等多个关键阶段。高效率、高功率密度和可靠性是OBC设计的核心目标。在PFC阶段，通常采用Boost或Totem-Pole拓扑，而DC-DC阶段则常用LLC谐振或相移全桥拓扑。

     旷通半导体提供了一系列适用于OBC的高性能功率器件。在PFC阶段，VAST MOS T系列或SiC MOSFET是理想选择，它们的低导通电阻和快速开关特性可以显著提高效率。对于DC-DC阶段的主开关，VAST MOS S系列的超快开关速度非常适合高频LLC应用，而在同步整流端，VAST MOS T系列的低导通电阻特性可以进一步优化效率。对于辅助电源，VAST MOS A系列提供了很好的性能和成本平衡。

      在高功率OBC应用中，旷通的IGBT产品也是一个很好的选择，特别是在高电压、大电流条件下。这些先进功率器件的应用不仅提高了OBC的效率，还通过减小开关损耗和改善热性能，支持了更高的功率密度设计。